Полупроводников въздушен сепаратор с висока-чистота

Основна технология

Ултра{0}}чиста предварителна обработка:„Три{0}}етапна филтрация + двойна адсорбция + каталитична деоксигенация“ – ULPA филтри и високо{3}}температурни молекулярни сита отстраняват вода (точка на оросяване По-малка или равна на -90 градуса) и CO₂ (По-малка или равна на 0,01 ppm), а паладиеви катализатори премахват кислорода до По-малко или равно на 0,1 ppm, поставяйки основата за дестилация.
 

Пречистване с криогенна дестилация:„Много{0}}каскадна кула + високо-ефективно опаковане“ – Основната кула използва 316L гофриран опаковъчен материал за първоначално разделяне до 5N чистота. Добавя се кула за рафиниране на азот/аргон, за да се постигне крайна чистота на азот от 7N и чистота на аргон от 7,5N, като се отстраняват следи от примеси (метан, по-малък или равен на 0,05ppb).

 

Ултра{0}}чисто след-третиране:Ексклузивно пречистване за предотвратяване на вторично замърсяване – PTFE филтри филтрират частици, по-големи или равни на 0,01 μm, йонообменните колони намаляват металните йони, а контейнерите с активен въглен контролират ЛОС до По-малко или равно на 0,05 ppb.
 

Стабилен контрол на доставката:Високо{0}}прецизна затворена{1}}система – полупроводников-клас MFC, 316L EP-тръбопровод (Ra по-малък или равен на 0,2 μm), напълно автоматизирано заваряване (квалифициран процент 100%), съвместим с SEMI F30.

 

принцип на работа

 

 

 

Принцип на много{0}}етапна композитна предварителна обработка

Три{0}}етапна връзка на „филтриране + адсорбция + катализа“: ULPA филтри и високо{3}}температурни молекулярни сита отстраняват вода (точка на оросяване По-малка или равна на -90 градуса) и CO₂ (По-малка или равна на 0,01 ppm), докато паладиеви катализатори премахват кислорода до По-малко от или равна на 0,1 ppm, полагане на основата за висока чистота.

 

 

Дълбока-студена дестилация и принцип на фракционно разделяне

Използвайки разликите в точките на кипене между кислород, азот и аргон, множество колони се използват последователно за пречистване: основната колона, с 316L набивка, постига първоначално разделяне до 5N; колоната за рафиниране на азот/аргон (-196 градуса) премахва следи от примеси, като в крайна сметка се постигат концентрации на азот от 7N и концентрации на аргон от 7,5N (метан По-малко или равно на 0,05 ppb).

 

 

Ултра{0}}чист принцип за предотвратяване на замърсяването след{1}}третиране

Патентованото пречистване предотвратява вторично замърсяване: PTFE филтри, йонообменни колони намаляват металните йони (По-малко или равно на 0,01 ppb), а контейнерите с активен въглен контролират ЛОС до По-малко или равно на 0,05 ppb, осигурявайки чистота на газа.

 

 

Принцип на управление на пренасянето с висока{0}}прецизност на затворен{1}}контур

„Висок-контрол на точността + чисти тръбопроводи“: Тръбопроводите от -клас MFC и 316L EP- (Ra по-малко или равно на 0,2 μm) са напълно автоматично заварени, за да осигурят стабилно транспортиране и ненамалена чистота.

 

1. Може ли чистотата на газа, произведена от това оборудване, да бъде адаптирана към изискванията на различни полупроводникови процеси?

Можем да персонализираме решения за чистота въз основа на специфични изисквания на процеса. Чрез регулиране на процеса на рафинираща кула и модулите за последваща-обработка можем да постигнем стабилна продукция, която отговаря на изискванията на 14nm процеси. Газовете с висока -чистота за усъвършенствани процеси, включително тези по-долу, могат да бъдат оптимизирани за бъдещи надстройки на процеси, без да се изисква пълна подмяна на оборудването.
 

2. Как можем да предотвратим вторично замърсяване с газ по време на работа на оборудването? Производството на полупроводници изисква изключително високи нива на чистота.

Това се гарантира по два начина: Първо, специална система за ултра{0}}чиста пост-преработка премахва малки частици и метални йони чрез процеси като ултрафилтрация и йонен обмен. Второ, процесът на доставка използва специализирани материали за тръбопроводи и оптимизирани техники за заваряване, за да се сведе до минимум адсорбцията на примеси по стените на тръбопровода, като по този начин се предотвратява вторично замърсяване с газ по време на целия процес.
 

3. По време на работа на оборудването, газовият поток и колебанията в налягането могат да повлияят на обработката на полупроводниците. Как можем да осигурим стабилни параметри?

Високо{0}}прецизна затворена{1}}система за управление, съчетана с професионален контролер на потока за-регулиране на параметрите в реално време и оптимизиран дизайн на тръбопроводите, контролира ефективно дебита и колебанията на налягането, осигурявайки стабилни параметри на подаване на газ, които отговарят на изискванията за прецизност на полупроводниковите процеси.
 

4. Сложна ли е поддръжката на оборудването? Ще се отрази ли поддръжката на непрекъснатата работа на линията за производство на полупроводници?

Опростеният процес на поддръжка позволява ранно предупреждение за поддръжка на основни компоненти чрез онлайн наблюдение. Системата също така поддържа "офлайн предварително производство + онлайн връзка." С цялостен модел на поддръжка, критичната поддръжка изисква само кратък престой и ще бъде разработен временен план за доставка на газ, за ​​да се минимизира прекъсването на производствената линия.

5. Ако фабриката за полупроводници разшири капацитета си в бъдеще, може ли съществуващото оборудване да бъде разширено? Трудно ли е това разширение?

Оборудването има вградени-портове за разширение. Разширяването на капацитета изисква само добавянето на съответните модули за рафиниране и транспортни компоненти, без демонтиране на основната дестилационна система. Подробни изчисления на процеса и предварително производство се извършват преди разширяването, което води до кратък -период на изграждане на място и минимална сложност, което позволява бързо адаптиране към нуждите от нарастване на капацитета.

Популярни тагове: полупроводников агрегат за разделяне на въздух с висока чистота-на газ, Китай полупроводников модул за разделяне на въздух с висока чистота на газ, доставчици, фабрика